股票配资保证金:实盘炒股配资-盘中暴力拉升！利好突袭芯片！

　　存储芯片，强势反弹！

　　3月10日 ，在韩国证券市场上
，存储芯片巨头SK海力士
、三星电子的股价双双大涨
。盘中，SK海力士涨幅一度超过13% ，三星电子涨幅一度超过10%。

　　当天
，A股存储芯片概念股也集体拉升，板块指数涨幅超过2% 。截至中午收盘 ，联瑞新材涨超17%
，铂科新材、科翔股份涨超10%
。

　　从消息面来看，全球存储芯片产业链传出多则利好消息：一是 ，SK海力士和三星电子被选为英伟达Rubin HBM4供应商
，预计本月开始出货；二是，SK海力士今日表示 ，已开发出一种先进的LPDDR6动态随机存取存储器（DRAM）产品，专为具有人工智能（AI）功能的移动设备而定制；三是
，本周一，英伟达CEO黄仁勋喊话DRAM厂尽快扩产 ，称“有多少就买多少
”。

　　存储芯片概念股大涨

　　在经历了多日的震荡后
，全球存储芯片概念股强势归来 。今日盘中，SK海力士一度涨超过13% ，三星电子一度涨超10%
。隔夜
，美股市场上，存储概念股也集体大涨 ，闪迪涨超11%
，西部数据涨近7%，美光科技涨超5%。

　　A股存储芯片板块今日也大幅走高 ，截至中午收盘
，板块指数涨幅超过2%，联瑞新材涨17.65% ，铂科新材涨超14%，科翔股份涨超10%
，炬光科技涨超9%，壹石通涨超8% ，伟测科技 、天马新材涨超7%
，太极实业
、南亚新材、珂玛科技等纷纷走强 。

　　分析人士指出，国际油价的回调 ，缓解了市场对通胀的担忧
，这有利于成长股的行情演绎
。此外，存储芯片行业传出多则利好消息 ，对板块的情绪提振较大。

　　据韩国媒体报道
，三星电子与SK海力士双双入围英伟达新一代AI加速器Vera Rubin的供应商名单 。由于HBM4从DRAM晶圆到最终封装需要六个多月，两家公司预计最快本月启动生产
。

　　报道称 ，尽管Vera Rubin所用HBM4的分配量和定价尚未确定
，但消息人士预计，包括HBM3E在内 ，SK海力士将在2026年NVIDIA的HBM总供应中占据过半份额，而三星电子则将主导Vera Rubin专用HBM4的供应。根据TrendForce预测
，SK海力士仍将引领全球HBM比特产量，份额为50%（低于2025年的59%） ，而三星电子的份额则从20%攀升至28% 。

　　值得关注的是
，报道称英伟达要求Vera Rubin所用HBM4的数据传输速率超过10Gb/s，远高于JEDEC行业标准设定的8Gb/s标准。据报道 ，三星电子已有效通过英伟达在10Gb/s和11Gb/s两个级别进行的HBM4认证测试
，而SK海力士仍在优化其产品以通过11Gb/s速率测试
。

　　另外，本周二 ，SK海力士表示
，公司已开发出一种先进的LPDDR6动态随机存取存储器（DRAM）产品，专为具有人工智能（AI）功能的移动设备而定制。

　　SK海力士表示 ，基于第六代10纳米工艺技术的16Gb LPDDR6 DRAM在2026年1月的CES 2026上展出后
，已完成验证过程 。这家芯片制造商在一份声明中表示：“SK海力士计划在今年上半年完成量产准备工作，并在下半年开始供应产品 ，从而扩大我们针对人工智能应用优化的传统DRAM产品线
。”

　　SK海力士称，这款新产品将应用于配备终端AI功能的智能手机和平板电脑等移动设备。该公司表示
，与上一代产品相比，新产品的数据处理速度提升了33% 。此外 ，新产品还将帮助消费者享受更长的电池续航时间和更优化的多任务处理性能
。

　　产业链涨价传闻不断

　　据环球网援引韩国媒体Sedaily报道
，近期，全球NAND闪存市场迎来持续涨价潮 ，市场份额位居首位的三星电子宣布计划在2025年第二季度再次上调核心NAND产品供应价格
，上调幅度预计与今年第一季度持平。

　　据了解，三星电子已在今年第一季度将NAND闪存产品价格较上一季度上调约100% 。若第二季度延续相同涨幅 ，其NAND产品价格较去年年底将累计上涨约200%
。业内人士表示
，尽管不同客户的最终成交价格或存在小幅差异，但三星此次确定的整体涨价幅度基本不会出现明显变动。

　　不仅是三星电子 ，整个NAND闪存行业的涨价预期正持续升温 。有半导体行业高层人士透露
，当前存储芯片制造商的议价能力达到历史高位，下游需求方企业大多只能被动接受报价 ，SK海力士 、铠侠等头部厂商也在筹备进一步上调NAND产品价格
。市场数据也印证了这一趋势，TrendForce数据显示
，上月NAND通用产品128Gb MLC闪存颗粒平均固定交易价格涨至12.67美元，环比上涨33.9% ，同比涨幅更是高达452.3%。

　　此次NAND闪存价格持续走高
，背后是多重市场因素的共同推动 。一方面，人工智能产业发展进入关键阶段 ，AI技术从数据训练阶段逐步向推理阶段演进
，对大规模数据存储的需求与日俱增，NAND存储的产业价值进一步凸显。同时 ，各大科技企业纷纷加大对AI数据中心的投资布局
，直接带动存储设备需求快速攀升，成为推高NAND闪存价格的核心动因
。

　　另一方面 ，市场供应端的收紧也加剧了价格上涨态势。目前NAND市场排名前两位的三星电子和SK海力士
，均将生产重点向HBM等高附加值半导体产品转移，大幅缩减了NAND闪存的产量 。在供需失衡的背景下 ，业内普遍预计，NAND闪存价格的上涨趋势在短期内难以逆转
，仍将持续一段时间
。

　　本周一，英伟达CEO黄仁勋向全球存储芯片厂商喊话称 ，尽管扩产
，有多少就买多少。

　　当天，黄仁勋在摩根士丹利科技大会上表示 ，芯片供给短缺对英伟达而言是“极好的消息 ”
，因为资源受限会促使客户更倾向于直接选择性能最强的解决方案 。他向DRAM厂商喊话：“产能扩多少，我们（英伟达）就会用掉多少
。
”

（文章来源：券商中国）